SI7703EDN-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3 характеристики