Электронные компоненты
из США, Европы и Юго-Восточной Азии
Внимание! Компания «Зенер Электроникс» работает только с юридическими лицами
$ = 63.77 ₽ = 72.59 ₽
Каталог товаров
Назад

SI4866BDY-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  • Производитель

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5020pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) ±8V

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на SI4866BDY-T1-GE3. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства Vishay Siliconix доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single SI4866BDY-T1-GE3 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.