SFT1431-E характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TP
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 15W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	35V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TP
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 15W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	35V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SFT1431-E

SFT1431-E характеристики