PMV27UPEAR характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1820pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1820pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

PMV27UPEAR

PMV27UPEAR характеристики