PMN49EN,135 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PMN49EN,135

PMN49EN,135 характеристики