PMGD400UN,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	410mW
Исполнение корпуса	6-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	710mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	410mW
Исполнение корпуса	6-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	710mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 25V

PMGD400UN,115

PMGD400UN,115 характеристики