Каталог товаров
Назад

NTMFS4939NT3G

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FL

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс) 920mW (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.3A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1954pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс) 920mW (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.3A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1954pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

NTMFS4939NT3G

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FL

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на NTMFS4939NT3G. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства ON Semiconductor доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single NTMFS4939NT3G купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.