NTJS3151PT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	625mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Рассеивание мощности (Макс)	625mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G характеристики