NTJD4152PT2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	272mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	272mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 20V

NTJD4152PT2G

NTJD4152PT2G характеристики