NTJD4105CT2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V, 8V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V, 8V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 20V

NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G характеристики