Каталог товаров
Назад

NTJD1155LT1G

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
97
  • 1 шт
    97 ₽
  • 100 шт
    59 ₽
  • 500 шт
    43.5 ₽
  • 1000 шт
    39 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 97
При покупке кэшбэк 14 баллов


NTJD1155LT1G характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 400mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD1155
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 400mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Part Number NTJD1155
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

NTJD1155LT1G

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NTJD1155LT1G по России

Транзисторы — полевые — массивы NTJD1155LT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTJD1155LT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1133 ₽
+ 169950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 927 ₽
+ 278100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 927 ₽
+ 278100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 697 ₽
+ 209100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1026 ₽
+ 307800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 904 ₽
+ 67800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 614 ₽
+ 184200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 617 ₽
+ 185100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
332 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 592 ₽
+ 88800 баллов