NTHS2101PT1 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	ChipFET™
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 6.4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	ChipFET™
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 6.4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

NTHS2101PT1

NTHS2101PT1 характеристики