NTHD4N02FT1 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ChipFET™
Рассеивание мощности (Макс)	910mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ChipFET™
Рассеивание мощности (Макс)	910mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

NTHD4N02FT1

NTHD4N02FT1 характеристики