NTHC5513T1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Base Part Number	NTHC5513
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	ChipFET™
Base Part Number	NTHC5513
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V

NTHC5513T1G

NTHC5513T1G характеристики