Каталог товаров
Назад

NTHC5513T1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET


NTHC5513T1 характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса ChipFET™
Base Part Number NTHC5513
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.1W
Исполнение корпуса ChipFET™
Base Part Number NTHC5513
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V

NTHC5513T1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHC5513T1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NTHC5513T1 по России

Транзисторы — полевые — массивы NTHC5513T1 ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTHC5513T1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1133 ₽
+ 169950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 927 ₽
+ 278100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 927 ₽
+ 278100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 697 ₽
+ 209100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1026 ₽
+ 307800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 904 ₽
+ 67800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 614 ₽
+ 184200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 617 ₽
+ 185100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
332 шт.
от 655 ₽
+ 98250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 592 ₽
+ 88800 баллов