NTGS1135PT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	970mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±6V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	970mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±6V

NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G характеристики