NTD4806NA-35G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2142pF @ 12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2142pF @ 12V

NTD4806NA-35G

NTD4806NA-35G характеристики