NLV14016BDR2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	14-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	NLV14016B
Полоса пропускания -3 дБ	37MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	400 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 18 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-80dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	14-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	NLV14016B
Полоса пропускания -3 дБ	37MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	400 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 18 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-80dB @ 1MHz

NLV14016BDR2G

NLV14016BDR2G характеристики