NLAS5113MUTBG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.2x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NLAS5113
Полоса пропускания -3 дБ	457MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.3 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	7ns, 4.5ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	14pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-UDFN (1.2x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NLAS5113
Полоса пропускания -3 дБ	457MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.3 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	7ns, 4.5ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	14pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-

NLAS5113MUTBG

NLAS5113MUTBG характеристики