NLAS3899BMNTWG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	280MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	2.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	700 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 30ns
Инжекция заряда	111pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	10pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	300nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	280MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	2.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	700 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 30ns
Инжекция заряда	111pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	10pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	300nA
Перекрёстные помехи	-

NLAS3899BMNTWG

NLAS3899BMNTWG характеристики