MMBT123S-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MMBT123S
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	18V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 30mA, 300mA
Обратный ток коллектора (Max)	1µA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	150 @ 100mA, 1V
Трансформация частоты	100MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MMBT123S
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	18V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 30mA, 300mA
Обратный ток коллектора (Max)	1µA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	150 @ 100mA, 1V
Трансформация частоты	100MHz

MMBT123S-7

MMBT123S-7 характеристики