IRFH8337TRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IRFH8337TRPBF

IRFH8337TRPBF характеристики