Каталог товаров
Назад

IRF840LCPBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 500V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 500V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

IRF840LCPBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF840LCPBF. Транзисторы — полевые — одиночные производства Vishay Siliconix доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — одиночные IRF840LCPBF купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.