Электронные компоненты
из США, Европы и Юго-Восточной Азии
Внимание! Компания «Зенер Электроникс» работает только с юридическими лицами
$ = 63.77 ₽ = 72.59 ₽
Каталог товаров
Назад

IRF7477PBF

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2710pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF7477PBF. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IRF7477PBF купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.