Каталог товаров
Назад

IRF6723M2DTR1P

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET


IRF6723M2DTR1P характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус DirectFET™ Isometric MA
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 2.7W
Исполнение корпуса DIRECTFET™ MA
Base Part Number IRF6723M2DPBF
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус DirectFET™ Isometric MA
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 2.7W
Исполнение корпуса DIRECTFET™ MA
Base Part Number IRF6723M2DPBF
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V

IRF6723M2DTR1P

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
IRF6723M2DTR1P
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF6723M2DTR1P. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы IRF6723M2DTR1P купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1154 ₽
+ 173100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
85 шт.
от 946 ₽
+ 283800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 943 ₽
+ 282900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 710 ₽
+ 213000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1045 ₽
+ 313500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 941 ₽
+ 282300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
258 шт.
от 696 ₽
+ 208800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 625 ₽
+ 187500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
50 шт.
от 696 ₽
+ 208800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3767 шт.
от 628 ₽
+ 188400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
383 шт.
от 696 ₽
+ 208800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
41 шт.
от 628 ₽
+ 188400 баллов