IRF6668TRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MZ
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MZ
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MZ
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MZ
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF характеристики