Каталог товаров
Назад

IRF5210PBF

  • Описание
    MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 200W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 24A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 200W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 24A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRF5210PBF

  • Описание
    MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF5210PBF. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IRF5210PBF купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.