Каталог товаров
Назад

IPDD60R190G7XTMA1

  • Описание
    MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolMOS™ G7
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 10-PowerSOP Module
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-HDSOP-10-1
Рассеивание мощности (Макс) 76W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolMOS™ G7
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 10-PowerSOP Module
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-HDSOP-10-1
Рассеивание мощности (Макс) 76W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IPDD60R190G7XTMA1

  • Описание
    MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IPDD60R190G7XTMA1. Транзисторы — полевые — одиночные производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — одиночные IPDD60R190G7XTMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.