ILD211T характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	2
Исполнение корпуса	8-SOIC
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	4000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	3µs, 4.7µs
Прямое напряжение (Vf)	1.2V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	30mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	6µs, 5µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	2
Исполнение корпуса	8-SOIC
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	4000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	3µs, 4.7µs
Прямое напряжение (Vf)	1.2V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	30mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	6µs, 5µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

ILD211T

ILD211T характеристики