FDZ2553N характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	18-WFBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.1W
Исполнение корпуса	18-BGA (2.5x4)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1299pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	18-WFBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.1W
Исполнение корпуса	18-BGA (2.5x4)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1299pF @ 10V

FDZ2553N

FDZ2553N характеристики