FDZ1323NZ характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFBGA, WLCSP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	6-WLCSP (1.3x2.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFBGA, WLCSP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	6-WLCSP (1.3x2.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 10V

FDZ1323NZ

FDZ1323NZ характеристики