Каталог товаров
Назад

FDB0300N1007L

  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK


FDB0300N1007L характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263)
Рассеивание мощности (Макс) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 26A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8295pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263)
Рассеивание мощности (Макс) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 26A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8295pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V

FDB0300N1007L

  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на FDB0300N1007L. Транзисторы — полевые — одиночные производства ON Semiconductor доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — одиночные FDB0300N1007L купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Сопутствующие товары
шт.
12430 шт.
от 203 ₽
+ 3045 баллов
Aavid, Thermal Division of Boyd Corporation
HEATSINK D2PAK .4" HIGH SMD
1 шт.
5447 шт.
от 642 ₽
+ 120375 баллов
шт.
38 шт.
от 13680 ₽
+ 2052 балла

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
798 шт.
от 12.2 ₽
+ 5490 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
17818 шт.
от 19 ₽
+ 213750 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
830569 шт.
от 14.7 ₽
+ 165375 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
7148 шт.
от 11.4 ₽
+ 5130 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
2979 шт.
от 13.7 ₽
+ 6165 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
4965 шт.
от 7.1 ₽
+ 1065 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
2984 шт.
от 8.6 ₽
+ 3870 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
3990 шт.
от 8.5 ₽
+ 3825 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
789 шт.
от 7.5 ₽
+ 3375 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
2895 шт.
от 8.4 ₽
+ 3780 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
354 шт.
от 10 ₽
+ 4500 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
1 шт.
2963 шт.
от 10 ₽
+ 4500 баллов