DN2625DK6-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	8-DFN (5x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1A, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	8-DFN (5x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1A, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V

DN2625DK6-G

DN2625DK6-G характеристики