DG442DY-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	85 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±15V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	4 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	250ns, 210ns
Инжекция заряда	-1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	4pF, 4pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-100dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	85 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±15V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	4 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	250ns, 210ns
Инжекция заряда	-1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	4pF, 4pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-100dB @ 1MHz

DG442DY-T1-E3

DG442DY-T1-E3 характеристики