DG413LEDQ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-TSSOP
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	26 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 16 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 8 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 30ns
Инжекция заряда	6.6pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF, 6pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-114dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-TSSOP
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	26 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 16 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 8 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 30ns
Инжекция заряда	6.6pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF, 6pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-114dB @ 1MHz

DG413LEDQ-T1-GE3

DG413LEDQ-T1-GE3 характеристики