DG412HSDN-T1-E4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	4
Base Part Number	DG412
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	35 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 20 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	105ns, 80ns
Инжекция заряда	22pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	12pF, 12pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	250pA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	4
Base Part Number	DG412
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	35 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 20 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	105ns, 80ns
Инжекция заряда	22pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	12pF, 12pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	250pA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 1MHz

DG412HSDN-T1-E4

DG412HSDN-T1-E4 характеристики