DG1412EEN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	150MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 24 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 15 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	40 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	140ns, 110ns
Инжекция заряда	-41pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	24pF, 23pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10pA
Перекрёстные помехи	-104dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	150MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 24 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 15 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	40 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	140ns, 110ns
Инжекция заряда	-41pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	24pF, 23pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10pA
Перекрёстные помехи	-104dB @ 1MHz

DG1412EEN-T1-GE4

DG1412EEN-T1-GE4 характеристики