BTS121AE3045ANTMA1 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB, Infineon Technologies

BTS121AE3045ANTMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	TEMPFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	95W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TEMPFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	95W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Vgs (Max)	±10V