BT169D/DG,126 характеристики	Выбрать все
Производитель	WeEn Semiconductors
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	TO-92-3
Максимальный ток удержания (Ih)	5mA
Base Part Number	BT169
Обратное напряжение	400V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)	800mV
Отпирающий ток управления (Igt)	200µA
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)	1.7V
Средняя величина прямого тока (It (AV))	500mA
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))	800mA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)	100µA
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)	8A, 9A
Тип Тиристора	Sensitive Gate

Характеристики	Выбрать все
Производитель	WeEn Semiconductors
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	TO-92-3
Максимальный ток удержания (Ih)	5mA
Base Part Number	BT169
Обратное напряжение	400V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)	800mV
Отпирающий ток управления (Igt)	200µA
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)	1.7V
Средняя величина прямого тока (It (AV))	500mA
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))	800mA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)	100µA
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)	8A, 9A
Тип Тиристора	Sensitive Gate

BT169D/DG,126

BT169D/DG,126 характеристики