Каталог товаров
Назад

BSL308CH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP


BSL308CH6327XTSA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V

BSL308CH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSL308CH6327XTSA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSL308CH6327XTSA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1156 ₽
+ 173400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
85 шт.
от 946 ₽
+ 283800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 711 ₽
+ 213300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
358 шт.
от 1048 ₽
+ 314400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 943 ₽
+ 282900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
158 шт.
от 697 ₽
+ 209100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 627 ₽
+ 188100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
60 шт.
от 697 ₽
+ 209100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3767 шт.
от 630 ₽
+ 189000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
383 шт.
от 697 ₽
+ 209100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
41 шт.
от 630 ₽
+ 189000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
27 шт.
от 1165 ₽
+ 174750 баллов