BSL211SPH6327XTSA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

BSL211SPH6327XTSA1

BSL211SPH6327XTSA1 характеристики