AO4706 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4706 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SRFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	16.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SRFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	16.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V