ZXTC6717MCTA характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	8-DFN (3x2)
Base Part Number	ZXTC6717MC
Тип транзистора	NPN, PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	4.5A, 4A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	15V, 12V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
Обратный ток коллектора (Max)	100nA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
Трансформация частоты	120MHz, 110MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	8-DFN (3x2)
Base Part Number	ZXTC6717MC
Тип транзистора	NPN, PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	4.5A, 4A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	15V, 12V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
Обратный ток коллектора (Max)	100nA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
Трансформация частоты	120MHz, 110MHz

ZXTC6717MCTA

ZXTC6717MCTA характеристики