TRS12N65D,S1F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Исполнение корпуса	TO-247
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.7V @ 6A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	90µA @ 650V
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)	650V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	6A (DC)
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	175°C (Max)

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Исполнение корпуса	TO-247
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.7V @ 6A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	90µA @ 650V
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)	650V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	6A (DC)
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	175°C (Max)

TRS12N65D,S1F

TRS12N65D,S1F характеристики