SI8221CC-A-IS характеристики	Выбрать все
Производитель	Silicon Labs
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	12.2 V ~ 24 V
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Повторяющийся импульсный ток	500mA
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	300mA, 500mA
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	30ns, 30ns (Max)
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 40ns
Искажение длительности импульса (Макс)	-
Прямое напряжение (Vf)	2.5V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	30kV/µs (Typ)
Прямой ток (If) (Max)	30mA

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Silicon Labs
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	12.2 V ~ 24 V
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Повторяющийся импульсный ток	500mA
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	300mA, 500mA
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	30ns, 30ns (Max)
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 40ns
Искажение длительности импульса (Макс)	-
Прямое напряжение (Vf)	2.5V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	30kV/µs (Typ)
Прямой ток (If) (Max)	30mA

SI8221CC-A-IS

SI8221CC-A-IS характеристики