SI8220DB-D-ISR характеристики	Выбрать все
Производитель	Silicon Labs
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CQC, CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	14.8 V ~ 24 V
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Повторяющийся импульсный ток	2.5A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	1.5A, 2.5A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	20ns, 20ns (Max)
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 40ns
Искажение длительности импульса (Макс)	-
Прямое напряжение (Vf)	2.5V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	30kV/µs (Typ)
Прямой ток (If) (Max)	30mA

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Silicon Labs
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CQC, CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	14.8 V ~ 24 V
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Повторяющийся импульсный ток	2.5A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	1.5A, 2.5A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	20ns, 20ns (Max)
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 40ns
Искажение длительности импульса (Макс)	-
Прямое напряжение (Vf)	2.5V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	30kV/µs (Typ)
Прямой ток (If) (Max)	30mA

SI8220DB-D-ISR

SI8220DB-D-ISR характеристики