PN4392_D26Z характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	2N4392
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	25mA @ 20V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	2V @ 1nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	60 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	2N4392
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	25mA @ 20V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	2V @ 1nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	60 Ohms

PN4392_D26Z

PN4392_D26Z характеристики