NANO100NE3BN характеристики	Выбрать все
Производитель	Nuvoton Technology Corporation of America
Серия	NuMicro™ Nano100
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Корпус	48-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	48-QFN (7x7)
Переферийные устройства	Brown-out Detect/Reset, DMA, I?S, POR, PWM, WDT
Основной процессор	ARM® Cortex®-M0
Скорость	42MHz
Число входов/выходов	38
Объем EEPROM	-
Размер RAM памяти	16K x 8
Разрядность	32-Bit
Сетевое взаимодействие	EBI/EMI, I?C, SPI, UART/USART
Размер памяти для программирования	128KB (128K x 8)
Тип памяти для программирования	FLASH
Напряжение питания(Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 3.6 V
Преобразователи данных	A/D 7x12b, D/A 2x12b
Тип генератора колебаний	Internal

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nuvoton Technology Corporation of America
Серия	NuMicro™ Nano100
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Корпус	48-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	48-QFN (7x7)
Переферийные устройства	Brown-out Detect/Reset, DMA, I?S, POR, PWM, WDT
Основной процессор	ARM® Cortex®-M0
Скорость	42MHz
Число входов/выходов	38
Объем EEPROM	-
Размер RAM памяти	16K x 8
Разрядность	32-Bit
Сетевое взаимодействие	EBI/EMI, I?C, SPI, UART/USART
Размер памяти для программирования	128KB (128K x 8)
Тип памяти для программирования	FLASH
Напряжение питания(Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 3.6 V
Преобразователи данных	A/D 7x12b, D/A 2x12b
Тип генератора колебаний	Internal

NANO100NE3BN

NANO100NE3BN характеристики