MMBFJ175LT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFJ175
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	7mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	125 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFJ175
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	7mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	125 Ohms

MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G характеристики