K817P3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	3µs, 4.7µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	100% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	200% @ 10mA
Время включения / выключения (номинальное)	6µs, 5µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	3µs, 4.7µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	100% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	200% @ 10mA
Время включения / выключения (номинальное)	6µs, 5µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

K817P3

K817P3 характеристики